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Tension de collecteur-émetteur bipolaire de transistors des pièces 2N2907A d'aviation 60 V

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xMFR | PUCE | Produit | Transistors bipolaires - BJT |
---|---|---|---|
Montage du style | Par le trou | Paquet/cas | TO-18-3 |
Tension de collecteur-base VCBO | 60 V | Tension basse VEBO d'émetteur | 5 V |
Tension de saturation de collecteur-émetteur | 1,6V | Courant de collecteur maximum de C.C | 600 mA |
Mettre en évidence | Pièces d'aéronautique Transistors bipolaires,Transistors bipolaires de 60 V,Transistors bipolaires 2N2907A |
Tension de collecteur-émetteur bipolaire de transistors des pièces 2N2907A d'aviation 60 V
Descriptions des pièces d'aviation :
Les 2N2905A et les 2N2907A sont les transistors épitaxiaux planaires du silicium PNP dans Jedec TO-39 (pour 2N2905A) et dans le cas en métal de Jedec TO-18 (pour 2N2907A). Ils sont conçus pour la commutation saturée à grande vitesse et les applications d'usage universel.
Caractéristiques des pièces d'aviation :
- À forte intensité (max.600mA)
- Basse tension (max.60V)
- Finition sans plomb/RoHS conforme (note 1) (le suffixe de « P » indique RoHS conforme. Voir l'information de commande)
Caractéristiques des pièces d'aviation :
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
Fabricant : | Puce |
Catégorie de produit : | Transistors bipolaires - BJT |
RoHS : | N |
Montage du style : | Par le trou |
Paquet/cas : | TO-18-3 |
Polarité de transistor : | PNP |
Configuration : | Simple |
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum : | 60 V |
Tension de collecteur-base VCBO : | 60 V |
Tension basse VEBO d'émetteur : | 5 V |
Tension de saturation de collecteur-émetteur : | 1,6 V |
Courant de collecteur maximum de C.C : | 600 mA |
Palladium - dissipation de puissance : | 500 mW |
Produit pi de largeur de bande de gain : | - |
Température de fonctionnement minimum : | - 65 C |
Température de fonctionnement maximum : | + 200 C |
Emballage : | Le volume |
Marque : | Technologie de puce |
Type de produit : | BJTs - transistors bipolaires |
Quantité de paquet d'usine : | 1 |
Sous-catégorie : | Transistors |
Technologie : | SI |
Poids spécifique : | 0,050459 onces |