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Tension claque de Drain-source de transistor MOSFET P-Chan des pièces IRFR9214PBF d'aviation 250 V

  • Aviation Parts IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Drain-Source Breakdown Voltage 250 V
Numéro de modèle IRFR9214PBF
Quantité de commande min PCs 1
Prix Négociable
Détails d'emballage boîtes
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Détails sur le produit
Fabricant VISHAY Catégorie de produit Transistor MOSFET
Technologie SI Montage du style SMD/SMT
Paquet/cas TO-252-3 Polarité de transistor P-canal
Identification - Courant continu de drain 2,7 A Le RDS sur - la résistance de Drain-source 3 ohms
Mettre en évidence

IRFR9214PBF Pièces d'aéronefs

,

Pièces d'aéronefs de 250 V

,

Le MOSFET IRFR9214PBF à 250 V est utilisé pour les systèmes de télécommunications.
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Description de produit

Aviation Parts IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Drain-Source Tension de claquage 250 V
 
 
Descriptions des pièces d'aviation :
 
Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une faible résistance à l'état passant par zone de silicium.Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les MOSFET de puissance sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.Le DPAK est conçu pour un montage en surface à l'aide de techniques de soudage en phase vapeur, infrarouge ou à la vague.La version à pas droit (séries IRFU, SiHFU) est destinée aux applications de montage traversant.Des niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 W sont possibles dans les applications de montage en surface typiques.
 
Caractéristiques des pièces d'aviation :
 

  • Technologie de processus avancée
  • Entièrement classé avalanche
  • Montage en surface (IRFR9214, SiHFR9214)
  • Câble droit (IRFU9214, SiHFU9214)
  • Canal P
  • Commutation rapide

 
Spécifications des pièces d'aviation :
 

Attribut de produitValeur d'attribut
Fabricant:Vishay
Catégorie de produit:MOSFET
RoHS :Détails
Technologie:Si
Style de montage :CMS/CMS
Paquet/Boîte :TO-252-3
Polarité des transistors :Canal P
Nombre de canaux:1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source :250V
Id - Courant de drain continu :2,7 A
Rds activé - Résistance drain-source :3 ohms
Vgs - Tension porte-source :- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :4V
Qg - Frais de porte :14 nC
Température de fonctionnement minimale :- 55 C
Température de fonctionnement maximale :+ 150 C
Pd - Dissipation de puissance :50W
Mode Canal :Renforcement
Série:IRFR/U
Emballage:Tube
Marque:Vishay Semiconducteurs
Configuration:Seul
Hauteur:2,38 millimètres
Longueur:6,73 millimètres
Type de produit:MOSFET
Quantité de l'emballage d'usine :3000
Sous-catégorie :MOSFET
Largeur:6,22 millimètres
Unité de poids:0,011640 oz

 

 


 
Tension claque de Drain-source de transistor MOSFET P-Chan des pièces IRFR9214PBF d'aviation 250 V 0
Étiquettes:

pièces de l'aviation 13A

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