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Tension claque de Drain-source de transistor MOSFET de l'aviation PartsIRLML2803TRPBF 30 V

  • Aviation PartsIRLML2803TRPBF MOSFET Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Numéro de modèle IRFL4315TRPBF
Quantité de commande min PCs 1
Prix Négociable
Détails d'emballage boîtes
Conditions de paiement L/C, T/T

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Détails sur le produit
Fabricant INFINEON Catégorie de produit Transistor MOSFET
Technologie SI Montage du style SMD/SMT
Paquet/cas SOT-23-3 Polarité de transistor N-canal
Identification - Courant continu de drain 1,2 A Le RDS sur - la résistance de Drain-source 400 mOhms
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Pièces pour l'aviation

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MOSFET Pièces d'aviation

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IRLML2803TRPBF Pièces d'aéronefs
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Description de produit

Tension claque de Drain-source de transistor MOSFET de l'aviation PartsIRLML2803TRPBF 30 V

 

 

Descriptions des pièces d'aviation :

 

La cinquième génération HEXFETs de Rectifierutilize international a avancé des techniques de traitement à la sur-résistance achieveextremely basse par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement et la conception rapides de ruggedizeddevice que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur extrêmement un dispositif fiable d'efficientand pour l'usage dans une grande variété d'applications. Un leadframe adapté aux besoins du client a été incorporé au paquet du thestandard SOT-23 pour produire un HEXFET PowerMOSFET avec la plus petite empreinte de pas de l'industrie. Thispackage, a doublé le Micro3, est idéal pour des applications où l'espace de carte électronique est à une prime. Les lowprofile (<1>

 

Caractéristiques des pièces d'aviation :

 

  • Technologie de la génération V
  • Sur-résistance très réduite
  • Transistor MOSFET de N-canal
  • Empreinte de pas SOT-23
  • Profil bas (<1>
  • Disponible dans la bande et la bobine
  • Commutation rapide
  • Sans plomb
  • Plainte de RoHS, sans halogène

 

Caractéristiques des pièces d'aviation :

 

Attribut de produit Valeur d'attribut
Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
RoHS : Détails
Technologie : SI
Montage du style : SMD/SMT
Paquet/cas : SOT-23-3
Polarité de transistor : N-canal
Nombre de canaux : La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source : 30 V
Identification - courant continu de drain : 1,2 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 400 mOhms
Vgs - tension de Porte-source : - 20 V, + 20 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 1 V
Qg - charge de porte : 3,3 OR
Température de fonctionnement minimum : - 55 C
Température de fonctionnement maximum : + 175 C
Palladium - dissipation de puissance : 540 mW
Mode de la Manche : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Coupez la bande
Emballage : MouseReel
Marque : Infineon Technologies
Configuration : Simple
Taille : 1,1 millimètres
Longueur : 2,9 millimètres
Produit : Petit signal de transistor MOSFET
Type de produit : Transistor MOSFET
Quantité de paquet d'usine : 3000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 N-canal
Largeur : 1,3 millimètres
Partie # noms d'emprunt : IRLML2803TRPBF SP001572964
Poids spécifique : 0,000282 onces

 

 

Tension claque de Drain-source de transistor MOSFET de l'aviation PartsIRLML2803TRPBF 30 V 0

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